[发明专利]一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构及实现方法

摘要

本发明公开了一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构及实现方法。探测器为背照射结构，设计n行×m列光敏元扩散孔，其中1n≤3，m≥512，保护环扩散孔环绕在光敏区的外圈，每个光敏元独立引出P电极，保护环P区与器件N区通过延伸电极合并引出。其实现方法为在N‑InP/I‑InGaAs/N‑InP结构的外延材料上，通过光刻、刻蚀同步获得n行×m列光敏元扩散孔和保护环扩散孔，同步进行P型掺杂，延伸电极覆盖保护环的P电极孔与器件N电极槽，保护环在光照下产生的光生载流子通过N电极导出。本发明的优点是：该结构采用n行像元作为一行像元应用，每个像元独立引出，只要同一列n个像元有一个正常光敏元，即可实现零盲元应用，将探测器成品率提升n倍。