[发明专利]一种双极化高功率收发多功能芯片在审
| 申请号： | 202310030932.X | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116032227A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 胡柳林;唐小宏;刘勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F3/195 | 分类号： | H03F3/195;H03F3/213;H03F3/24;H03F1/52;H03F1/02;H03F1/56;H03F1/26;H03K17/687 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双极化高功率收发多功能芯片，属于集成电路技术领域，包括发射功率放大器、接收低噪声放大器和双刀双掷开关；发射功率放大器的输入端作为双极化高功率收发多功能芯片的发射输入端，其输出端和双刀双掷开关的输入端连接；接收低噪声放大器的输出端作为双极化高功率收发多功能芯片的接收输出端，其输入端和双刀双掷开关的输出端连接；双刀双掷开关设置有双极化高功率收发多功能芯片的第一接收输入/发射输出端和第二接收输入/发射输出端。本发明提出一种双极化高功率收发多功能芯片，目的是通过一体化电路设计，实现大功率双刀双掷开关、功率放大器和低噪声放大器一体化集成，简化功能单元之间的匹配和互联电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极化 功率 收发 多功能 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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