[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片在审
| 申请号： | 202310032176.4 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN115881621A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 庄琼阳;卢金德;贾晓峰;陈献龙 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 林青中 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，特别是一种浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片，以解决相关技术中自然氧化物层无法去除完全，从而不利于后续线性氧化物层的生长，进而不利于浅沟槽隔离结构对有源区进行隔离的问题。一种浅沟槽隔离结构制备方法，包括：在硅片上形成浅沟槽结构，浅沟槽结构的表面形成有自然氧化物层；采用SiCoNi刻蚀工艺，将自然氧化物层去除，并在去除自然氧化物层的硅片表面形成保护层，保护层的材料包括：六氟硅酸氨；将保护层去除，并在去除保护层的硅片表面形成线性氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 及其 制备 方法 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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