[发明专利]一种外延层的生长方法在审
| 申请号： | 202310033853.4 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116259528A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 彭勇;马寒骏;王勇;周康;孙伟虎;卢明辉;包赛赛;杨德明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延层的生长方法，包括提供裸晶圆；在裸晶圆表面生长第一外延层，第一外延层掺杂；在第一外延层表面生长第二外延层，第二外延层不掺杂；重复生长第一外延层和第二外延层直至达到预设厚度；通过SEM分析表面形貌以及粗糙度，STEM切片确认各层厚度以及平均的生长速率。本发明采用交替生长方式进行外延层的生长，在掺杂导致晶圆表面电子积累电位变负使生长速率变慢的时，不再进行掺杂，从而使电位变为零电位，有效消除晶圆表面的电子累积效应，提高生长速率；同时在随着掺杂浓度增加，表面粗糙度加大，晶格失配，产生晶格缺陷时，不再进行掺杂，从而降低晶格配错的概率，进而改善外延薄膜表面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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