[发明专利]一种磁性存储单元及磁性存储器在审
| 申请号： | 202310038994.5 | 申请日： | 2023-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN115884663A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 朱政;李尚坤;李岳陞;吴迪 | 申请（专利权）人： | 苏州凌存科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00 |
| 代理公司： | 深圳市韦恩肯知识产权代理有限公司 44375 | 代理人： | 曹宪康 |
| 地址： | 215122 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁性存储单元及磁性存储器，其中一种磁性存储单元包括上电极、钉扎层、耦合层、固定磁性层、隧穿势垒层、自由磁性层和下电极，上电极、钉扎层、耦合层、固定磁性层、隧穿势垒层、自由磁性层和下电极依次堆叠设置，耦合层用于使得固定磁性层和钉扎层形成反铁磁耦合，钉扎层用于消除固定磁性层对自由磁性层的杂散场，且钉扎层内设置有材料掺杂区。通过设置钉扎层能够消除固定磁性层对自由磁性层的杂散场，在钉扎层内设置材料掺杂区，能够使得自由磁性层所受杂散场在温度变化下始终保持很小的值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
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