[发明专利]基于埋底界面修饰的锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 202310054844.3 | 申请日： | 2023-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN116322078A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王昆;杨培辉;陈雅利;康自勇;曹黎;佟宇;王洪强 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H10K30/50 | 分类号： | H10K30/50;H10K30/88;H10K71/12;H10K71/40;H10K85/00;H10K85/10;H10K85/20;H10K85/60 |
| 代理公司： | 重庆三航专利代理事务所(特殊普通合伙) 50307 | 代理人： | 万文会 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于埋底界面修饰的锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法，本发明在常规锡基钙钛矿太阳能电池的基础上，引入1‑羧甲基‑3‑甲基咪唑氯盐（ImAcCl）对埋底界面进行修饰。修饰后的空穴传输层表面粗糙度降低，获得了高结晶度及平整致密的锡基钙钛矿薄膜。同时，ImAcCl能够与锡基钙钛矿发生作用，抑制Sn |
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| 搜索关键词： | 基于 界面 修饰 锡基钙钛矿 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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