[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202310056245.5 | 申请日： | 2023-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN115915749B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 陈兴;黄普嵩 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构包括：具有第一表面的衬底；位于衬底中的多个浅沟槽隔离结构，相邻浅沟槽隔离结构之间具有第一区域或第二区域，每个浅沟槽隔离结构靠近第一区域的一侧端部具有第一凹陷部，靠近第二区域的一侧端部具有第二凹陷部，第一凹陷部的内表面面积比第二凹陷部的小，且第一凹陷部具有比第二凹陷部小的曲率半径；第一类型掺杂区，位于与第一区域对应的衬底中，第一凹陷部位于第一类型掺杂区与相邻的浅沟槽隔离结构之间；第二类型掺杂区，位于与第二区域对应的衬底中，第二凹陷部位于第二类型掺杂区与相邻的浅沟槽隔离结构之间，相邻浅沟槽隔离结构之间的第一类型掺杂区的长度大于第二类型掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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