[发明专利]干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺在审
| 申请号： | 202310056716.2 | 申请日： | 2023-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN116130355A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 陈银培;刘耀菊;宁珈祺;吴超;杨巨椽 | 申请（专利权）人： | 杭州美迪凯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/027 |
| 代理公司： | 杭州华知专利事务所(普通合伙) 33235 | 代理人： | 张德宝 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市钱塘*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺，其工艺步骤为：S1、取出基板，在基板上涂覆一层非光敏底层胶达到设定的目标厚度；S2、在非光敏底层胶上层再涂覆一层光刻胶，光刻胶的厚度大于非光敏底层胶；S3、两层胶涂覆完毕后采用曝光显影坚膜的方式把上层的光刻胶做成具有正梯形或者倒梯形槽口的胶形，并裸露出需要去除的非光敏底层胶；S4、采用干法刻蚀的工艺对上层的光刻胶胶和裸露出来的非光敏底层胶一起进行干刻；S5、干刻后，通过去胶液将非光敏底层胶上层残留的光刻胶去除，最终得到正梯形或者倒梯形胶形的产品，完成干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺。本发明实现了胶形为正梯形或者倒梯形且斜面角度小于等于45°的图形化加工。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 制作 梯形 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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