[发明专利]一种电子传输层、近红外预热处理基底制备电子传输层的方法、钙钛矿光电器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310063984.7 | 申请日： | 2023-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN116322233A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 吴炳辉;曹可新;黄晓锋;尹君;李静;郑南峰 | 申请（专利权）人： | 厦门大学;嘉庚创新实验室;厦门大学九江研究院 |
| 主分类号： | H10K71/12 | 分类号： | H10K71/12;H10K71/15;H10K71/40;H10K30/10 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种电子传输层、近红外预热处理基底制备电子传输层的方法、钙钛矿光电器件及其制备方法。该近红外预热处理基底制备电子传输层的方法包括以下制备步骤：先将基底预热，而后将电子传输层前驱液涂覆于预热完成的基底上形成涂层，对涂层进行加热退火处理，制得电子传输层；通过将电子传输材料于溶剂中均匀分散制得电子传输层前驱液，电子传输材料为n型半导体氧化物。本发明采用基底预热的方法，改善基底对电子传输层前驱体的浸润性，制得的电子传输层致密无孔洞，厚度均匀且可控，能够有效减少电子传输层制备过程中的缺陷和孔洞，改善电子传输层和钙钛矿吸光层的界面缺陷，提高器件的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 传输 红外 预热 处理 基底 制备 方法 钙钛矿 光电 器件 及其 | ||
【主权项】：
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