[发明专利]一种减小Feedthrough电压的高开口率阵列基板及其制作方法在审
申请号: | 202310064541.X | 申请日: | 2023-01-28 |
公开(公告)号: | CN116314205A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 毛清平 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L21/77 |
代理公司: | 福州市京华专利代理事务所(普通合伙) 35212 | 代理人: | 吴学林 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及显示器技术领域,提供一种减小Feedthrough电压的高开口率阵列基板,包括:玻璃衬底;第一金属层,镀在玻璃衬底的上表面,形成栅极;第一栅绝缘层,镀在玻璃衬底与第一金属层的上表面;第二金属层,形成间隔分布的第一CK信号走线、第三CK信号走线与TP走线;有源层,镀在第二栅绝缘层的上表面;第三金属层,形成了间隔分布的源极、漏极与第一信号连接线;导电层,镀在钝化层的上表面;公共电极,镀在钝化层的上表面;画素电极,镀在外绝缘层。本发明的优点在于:导电层的电位高低与栅极的电位高低相反,栅极对于漏极的耦合效应和导电层对于漏极的耦合效应相互抵消,减小Feedthrough电压。 | ||
搜索关键词: | 一种 减小 feedthrough 电压 开口 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的