[发明专利]一种硼扩散炉管维护效果检测方法在审
申请号: | 202310074127.7 | 申请日: | 2023-02-01 |
公开(公告)号: | CN116013801A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 王通;张红妹;魏双双;李青娟;李倩;尚琪 | 申请(专利权)人: | 英利能源发展(保定)有限公司;英利能源发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 河北国维致远知识产权代理有限公司 13137 | 代理人: | 赵宝琴 |
地址: | 072150 河北省保定市满城*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种硼扩散炉管维护效果检测方法,属于光伏电池技术领域,包括选择原硅片,对原硅片进行双面抛光;对原硅片进行双面硼扩散,并测试扩后硅片的方阻;筛选出符合生产要求的合格扩后硅片,并去除合格的扩后硅片表面的硼硅玻璃;在扩后硅片的双面加工形成氮化硅膜,用于钝化和保护硅片表面;烧结处理扩后硅片;对处理后的硅片进行Sinton测试,并记录少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压。本发明提供的硼扩散炉管维护效果检测方法,通过测试方阻筛除不合格的扩后硅片以减少测试结果异常,通过Sinton测试得到少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压数据,并准确地检查出硼扩散炉管的维护效果,避免出现影响电池成品质量和合格率的情况发生。 | ||
搜索关键词: | 一种 扩散 炉管 维护 效果 检测 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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