[发明专利]砷化镓晶圆的划切方法在审
| 申请号： | 202310075103.3 | 申请日： | 2023-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN116387143A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张兴华 | 申请（专利权）人： | 深圳西斯特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 王保玺 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提出一种砷化镓晶圆的划切方法，包括：将砷化镓晶圆的背面贴上胶膜；标记贴有胶膜的砷化镓晶圆的晶体方向，并基于砷化镓晶圆的晶体方向确定CH1方向和CH2方向，砷化镓晶圆的晶向为CH1方向和CH2方向的直角平分线；将贴有胶膜的砷化镓晶圆固定在划片机的工作盘上；使划片机上的划片刀以第一划切参数对砷化镓晶圆进行CH1方向的划切，划片刀的划切深度与砷化镓晶圆的厚度相等；使划片机上的划片刀以第二划切参数对砷化镓晶圆进行CH2方向的划切，其中划片刀的划切深度大于砷化镓晶圆的厚度，且小于砷化镓晶圆和胶膜的厚度之和；获取划切后的砷化镓晶圆。上述的划切方法能够在保证砷化镓晶圆正面、背面、侧面划切质量的前提下，提高划切效率。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓晶圆 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳西斯特科技有限公司，未经深圳西斯特科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310075103.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
