[发明专利]一种氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法在审
| 申请号： | 202310079234.9 | 申请日： | 2023-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN116298747A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 朱青;郭思音;陈怡霖;张濛;马晓华 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法，包括将待测试的HEMT制备为fat‑FET结构的HEMT，其中，待测试的HEMT为氮化镓基双异质结HEMT，fat‑FET结构的HEMT为fat‑FET结构的氮化镓基双异质结HEMT。对fat‑FET结构的HEMT进行沟道电导测试；对fat‑FET结构的HEMT进行CV特性曲线测试得到第一电容‑电压变化曲线；对第一电容‑电压变化曲线进行加和处理；根据预设公式得到上沟道和下沟道的场效应迁移率‑栅压曲线图；分别得到上、下沟道的电子面密度‑栅压曲线图；分别得到上、下沟道的场效应迁移率‑电子面密度曲线图。本发明能够分别表征上、下沟道具体的场效应迁移率，提高了对氮化镓基双异质结HEMT的场效应迁移率的表征精度，有益于氮化镓基双异质结HEMT的特性分析和工艺优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓基双异质结 hemt 场效应 迁移率 表征 方法 | ||
【主权项】：
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