[发明专利]一种具有高动态测量精度的硅谐振压力传感器有效

专利信息
申请号: 202310080263.7 申请日: 2023-02-08
公开(公告)号: CN115790913B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 胡宗达;周红;宫凯勋;李宁;张坤;张林 申请(专利权)人: 成都凯天电子股份有限公司
主分类号: G01L1/16 分类号: G01L1/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610091 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种具有高动态测量精度的硅谐振压力传感器,包括具有离子掺杂的100晶向的硅晶圆,硅晶圆衬底设有切边为110晶向的硅晶圆定位边;硅晶圆上布设有硅谐振压力芯片单元,硅谐振压力芯片单元的表面设有谐振梁,谐振梁通过锚点固定在硅晶圆上,谐振梁外围的两侧分别设置有一个驱动电极,位于谐振梁的中间布置检测电极。本发明采用基于晶向‑掺杂效应的原位温度自补偿方法,通过在常规100晶向的晶圆上设置特定的谐振梁晶向方向,并利用掺杂工艺改变单晶硅材料的杨氏模量温漂系数,减小了对应晶向谐振梁的热灵敏度指标,形成一个对温度不敏感的谐振梁结构,解决了外界环境温度快速变化带来的动态误差降低的影响,产品工艺简单,良率高。
搜索关键词: 一种 具有 动态 测量 精度 谐振 压力传感器
【主权项】:
暂无信息
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