[发明专利]一种基于In/Au电极的硒化铟忆阻器的制备方法在审
| 申请号： | 202310081950.0 | 申请日： | 2023-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN116033823A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 南海燕;高小玉;顾晓峰;肖少庆;蔡正阳 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 黄婵娟 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于In/Au电极的硒化铟忆阻器的制备方法，属于半导体器件领域。本发明所述的制备铟金电极的铟硒忆阻器的方法包括如下步骤：先利用机械剥离技术分别得到少层的InSe和h‑BN薄膜；之后通过干法转移技术将h‑BN薄膜转移至干净的衬底表面，再用转移平台将少层InSe转移到h‑BN正上方；最后蒸镀电极，得到所述的铟硒忆阻器。本发明的制备方法简单，且制备的光电探测器兼有存储窗口大、稳定性好、较长持久性等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 in au 电极 硒化铟忆阻器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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