[发明专利]一种钙钛矿薄膜及其制备方法和无空穴传输层的p-i-n型钙钛矿器件在审
| 申请号： | 202310082495.6 | 申请日： | 2023-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN116156983A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 叶继春;苏诗茜;应智琴;杨熹;汪新龙;陈颖;郭旭超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H10K85/50 | 分类号： | H10K85/50;H10K30/40;H10K30/50;H10K30/88;H10K77/10;H10K71/12 |
| 代理公司： | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人： | 胡天人 |
| 地址： | 315200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钙钛矿薄膜及其制备方法和无空穴传输层的p‑i‑n型钙钛矿器件，所述钙钛矿薄膜由钙钛矿前驱体溶液在导电基底上沉积形成，所述钙钛矿前驱体溶液中添加有空穴传输材料。本发明在钙钛矿前驱体溶液中添加空穴传输材料，利用空穴传输材料的自迁移性质促进钙钛矿与导电基底接触面的空穴传输，并减少非辐射复合，同时钝化缺陷，可以在去掉空穴传输层的情况下，实现高效稳定的p‑i‑n型钙钛矿器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 空穴 传输 型钙钛矿 器件 | ||
【主权项】：
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