[发明专利]一种用于HK金属栅的自对准Halo补偿沟道注入方法在审
| 申请号： | 202310085973.9 | 申请日： | 2023-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN116092925A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 乔伟娜;梁成栋;何亮亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/10;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于HK金属栅的自对准Halo补偿沟道注入方法，提供基底，在基底上形成STI区和有源区；在有源区内形成阱区；在基底上表面形成栅氧层；在栅氧层上形成伪栅结构；在伪栅结构侧壁形成第一侧墙；在伪栅结构两侧的基底内形成LDD区；形成依附于第一侧墙的第二侧墙；在伪栅结构两侧的基底内形成源漏区；在伪栅结构两侧的基底上覆盖CESL层，并在CESL层上填充ILD层；移除伪栅结构和位于伪栅结构下的栅氧层，形成底部为基底上表面的凹槽；垂直于基底上表面在所述凹槽区域向基底内注入Halo离子，形成自对准掺杂区；在凹槽内形成金属栅结构；对金属栅结构进行金属化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 hk 金属 对准 halo 补偿 沟道 注入 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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