[发明专利]一种设有俄歇辅助光发射层的半导体激光元件在审
| 申请号： | 202310086943.X | 申请日： | 2023-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN116316072A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李水清;王星河;陈婉君;陈三喜;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139 | 代理人： | 武光勇 |
| 地址： | 237000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种设有俄歇辅助光发射层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有俄歇辅助光发射层；俄歇辅助光发射层在具有自旋交换俄歇式激发转移发射机制，自旋交换转移速率超过带内能量损失和带内冷却速度，降低泵浦光与振荡光之间光子能量差的斯托克斯频移损耗，提升泵浦能级到激光能级的耦合几率，辅助增强激光元件的受激辐射，降低激光元件的激发阈值，降低热损耗，降低激光元件的能量损失和废热量，改善温度分布不均匀问题，提升激光元件的激射功率、斜率效率和改善激光光束去极化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设有 辅助 发射 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
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