[发明专利]掩模胚料、转印用掩模及其制造方法、显示装置制造方法在审
| 申请号： | 202310088032.0 | 申请日： | 2023-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN116500852A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 田边胜;安森顺一;浅川敬司;打田崇 | 申请（专利权）人： | 豪雅株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26;H10K71/00;H10K59/12;G03F1/60;G03F1/62;G03F1/76;G03F1/80;G09F9/33;C03C17/00;C03C17/34;C03C17/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 韩锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种掩模胚料、转印用掩模及其制造方法、显示装置制造方法。该掩模胚料相对于包括紫外线区域的波长的曝光光具有高耐光性，并且具有高耐药性，能够形成良好的转印图案。该掩模胚料具有透光基板、以及在透光基板的主表面上设置的图案形成用薄膜，薄膜含有钛、硅以及氮，在使相对于薄膜的内部区域利用X射线光电子能谱法进行分析而得到的Ti2p窄谱中结合能是455eV的光电子强度为P |
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| 搜索关键词： | 掩模胚料 转印用掩模 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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