[发明专利]一种含稀土栅介质层的平面型SiC MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 202310089961.3 | 申请日： | 2023-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN116072707A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 杨伟锋;王鑫炜;冶晓峰;龙明涛 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/51;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 黄一敏 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含稀土栅介质层的平面型SiC MOSFET及其制造方法。其中，所述结构包括：金属层、衬底；设置于衬底上部的缓冲区，包括若干缓冲层；设置于缓冲区上部的外延层；设置于外延层上部两侧的P阱区，P阱区中间处形成JFET区；所述P阱区上部设有超结区；所述JFET区上部设置有与JFET区、P阱区、超结区接触的栅氧化层区等。本发明结合多缓冲层，P+/N+超结结构以及栅氧化层区结构的方法；利用多缓冲层的结构转移峰值电场，提高了器件承受宇宙射线的能力，消除器件在N+源区，P阱区以及N‑的BJT器件结构的Krik效应的影响，进而达到提高器件耐辐射特性的效果；利用源极下段的P+/N+的超结结构有效降低接触电阻，降低器件的损耗，同时调控器件的电场分布情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 介质 平面 sic mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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