[发明专利]一种晶圆级阳极氧化系统及方法在审

专利信息
申请号: 202310091852.5 申请日: 2023-01-17
公开(公告)号: CN116162985A 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 王雪深;李劲劲;陈建;王振宇;李万;王仕建 申请(专利权)人: 合肥国家实验室;中国计量科学研究院
主分类号: C25D11/32 分类号: C25D11/32;C25D21/12
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 杨傥月
地址: 230088 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本申请提供一种晶圆级阳极氧化系统及方法,氧化系统包括控制模块、数字源表、阳极、阴极和电解槽,阳极为位于晶圆上的金属;控制模块与数字源表的第一端相连,用于控制数字源表输出电流;数字源表的第二端和第三端分别连接阳极和阴极,用于向阳极和阴极输入电流,以在阳极和阴极之间形成电场,对阳极金属氧化,数字源表用于测量阳极和阴极之间的电压,电压与阳极氧化形成的氧化膜的厚度基本成线性关系;电解槽中盛有电解液,阳极和阴极位于电解液中。观察阳极和阴极之间的电压变化可以确定阳极氧化膜的厚度,通过控制模块可以随时暂停或开启阳极氧化,实现可控厚度的晶圆级金属阳极氧化,具有稳定性。
搜索关键词: 一种 晶圆级 阳极 氧化 系统 方法
【主权项】:
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