[发明专利]有源硅D2D桥在审
| 申请号： | 202310097479.4 | 申请日： | 2023-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN115915771A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 乔治斯·康斯塔迪尼迪斯;权云星;李在植;特克久·康;金鎭永;苏卡尔帕·比斯瓦斯;贺彪;沈柔政 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B80/00 | 分类号： | H10B80/00;H01L23/498;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 周亚荣;邓聪惠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及有源硅D2D桥。微电子系统可以包括：基底，其具有第一表面；一个或多个中介层，其安装到并且电气地连接到该第一表面；第一和第二专用集成电路(ASIC)，其各自至少部分地覆盖并且电气地连接到中介层中的一个；多个高带宽存储器元件(HBM)，其各自至少部分地覆盖并且电气地连接到中介层中的一个；以及有源硅桥，其安装到并且电气地连接到该第一表面，并在第一和第二ASIC之间提供电气连接，该有源硅桥在其中具有有源微电子器件。该微电子系统可以配置成使得第一和第二ASIC以及有源硅桥各自在其中具有纯数字CMOS接口。在ASIC和有源硅桥之间提供电气连接的多个凸块可以配置成接收通过其中的串行数据。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 d2d | ||
【主权项】：
暂无信息
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