[发明专利]一种三维存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 202310099374.2 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115988878A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张中;韩玉辉;孔翠翠;张坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/10 | 分类号： | H10B41/10;H10B43/35;H10B41/35;H10B41/44;H10B43/20;H10B43/10;H10B41/20 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘景峰;于景辉 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该三维存储器包括叠层结构、虚设结构及栅线缝隙，其中，叠层结构包括在垂直方向上交替堆叠的栅线层与隔离层，虚设结构及栅线缝隙均沿垂直方向贯穿叠层结构，虚设结构包括第一虚设部与第二虚设部，栅线缝隙的一端伸入由第一虚设部与/或第二虚设部形成的间隙中，第一虚设部与第二虚设部中的至少一个与栅线缝隙在水平面上的投影部分重叠，以实现虚设结构与栅线缝隙的连接。这种将栅线缝隙端部包裹住，但又不完全重叠的虚设结构设计可以有效改善虚设结构与栅线缝隙交界处栅线缝隙刻蚀的工艺窗口问题，有效减少/消除虚设结构与栅线缝隙交界处的脆弱点，有助于提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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