[发明专利]一种准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202310101818.1 | 申请日： | 2023-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN115775730B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 武乐可;朱廷刚;李亦衡 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 黄明光 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种准垂直结构GaN肖特基二极管的制备方法，涉及肖特基二极管技术领域。本发明采用一次性生长P‑GaN的方式，可以实现产业化。在P‑GaN刻蚀过程，N‑GaN暴露出来的表面会受到刻蚀损伤，导致其与后续的肖特基金属接触的界面质量变差，从而会导致器件的反向漏电增加，反向耐压降低，本发明通过覆盖一层薄的AlN薄膜，由于ALD沉积（原子层沉积）的AlN具有晶体结构，与GaN的晶格常数能较好地匹配，因此可以修复刻蚀后N‑GaN表面的刻蚀损伤。本发明将AlN薄膜的厚度控制在4nm以内，薄的AlN层在器件加正向电压时，电子会通过隧穿的方式从N‑GaN进入到肖特基电极，形成电流，从而不影响开启电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 gan 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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