[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202310105933.6 | 申请日： | 2023-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN116387164A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李美锜;陈季丞;黄伟立;曾凯;吴俊逸;郑明达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 形成半导体器件的方法包括：在设置在衬底上方的导电焊盘上方形成钝化层；以及在钝化层上方形成电感组件，包括：在钝化层上方依次形成第一绝缘层和第一磁层；在第一磁层上方形成第一聚合物层；在第一聚合物层上方形成第一导电部件；在第一聚合物层和第一导电部件上方形成第二聚合物层；图案化第二聚合物层，其中在图案化之后，第二聚合物层的第一侧壁包括多个段，其中多个段中的第一段的延伸与第二聚合物层相交；以及在图案化第二聚合物层之后，在第二聚合物层上方依次形成第二绝缘层和第二磁层。本发明的实施例还涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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