[发明专利]金属互连结构的形成方法在审
| 申请号： | 202310108882.2 | 申请日： | 2023-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN116031204A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 石基;周军;谭林 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种金属互连结构的形成方法，包括：在介质层和通孔表面形成第一阻挡层，通孔形成于介质层中且在介质层表面开口；进行反溅射，对第一阻挡层在开口处形成的突起结构进行修剪处理；在第一阻挡层表面形成第二阻挡层。本申请通过在金属互连结构的形成过程中，在形成接触孔的第一阻挡层后，通过反溅射对第一阻挡层在通孔开口处形成的突起结构进行修剪处理，从而增大了通孔的开口以便于后续的金属层填充，在一定程度上降低了填充空隙的产生，提高了器件的可靠性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
