[发明专利]快恢复二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202310133058.2 | 申请日： | 2023-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN116387151A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;陈钱;姜春亮;雷秀芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘自丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种快恢复二极管的制备方法，包括：提供一第一N型衬底；在第一N型衬底的一侧设置铂材料层，并进行第一次退火处理，去除铂材料层；或者，对第一N型衬底进行电子辐照处理，并进行第二次退火处理；提供一第二N型衬底；将第一N型衬底与第二N型衬底键合；在第一N型衬底远离第二N型衬底的一侧形成阳极，并在第二N型衬底远离第一N型衬底的一侧形成阴极，以提高快恢复二极管的软度。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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