[发明专利]一种用于半导体镀膜工艺腔室的清洁方法

摘要

本发明公开了一种用于半导体镀膜工艺腔室的清洁方法，所述清洁方法包括以下步骤：(1)向工艺腔室内通入氩气，并开启射频功率源向工艺腔室内施加射频能量，将氩气激发成等离子体；(2)在持续施加射频能量下，向工艺腔室内通入反应气体，与腔室内镀膜残留的副产物反应；所述反应气体包含八氟环丁烷、一氧化二氮和氮气；(3)待反应结束后，向工艺腔室内通入氮气，去除腔室内残留的污垢。本发明通过向工艺腔室内先通入氩气引燃等离子体，为反应气体预先形成等离子体环境以促进反应气体与副产物的反应，同时在反应气体中引入氮气，使反应气体在腔体内快速均匀分散，从而有效缩短清洗时间，减少特气的损失，且有效降低了尾气回收成本。