[发明专利]多区域台阶高度控制的实现方法在审
| 申请号： | 202310146656.3 | 申请日： | 2023-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN116053142A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 姜林鹏;李超群;孟祥国 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多区域台阶高度控制的实现方法，提供衬底，衬底上形成有多个半导体结构，在衬底上形成覆盖半导体结构的硬掩膜层，之后刻蚀硬掩膜层至半导体结构的顶端裸露，从而形成侧墙结构；在衬底上形成覆盖半导体结构、硬掩膜层的牺牲层；在牺牲层上形成光刻胶层，打开光刻胶层使得部分半导体结构上的牺牲层裸露；去除裸露的牺牲层以及剩余的光刻胶层，形成待刻蚀图形；回刻蚀待刻蚀图形，使得不同区域的侧墙结构的高度不同。本发明的方法能够进行一步刻蚀形成最终沟道，可以实现不同区域台阶高度的控制同时，规避了不同工艺步骤之间所需时间紧张的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 区域 台阶 高度 控制 实现 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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