[发明专利]半导体器件和用于制造其的方法在审
| 申请号： | 202310148424.1 | 申请日： | 2023-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN116631967A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 安商熏;吴暻锡;李承宪;林俊赫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种能够改善器件的性能和可靠性的半导体器件。该半导体器件可以包括其中包含多个孔隙的第一层间绝缘膜、在第一层间绝缘膜中的第一线结构、沿着第一层间绝缘膜的上表面且在第一层间绝缘膜的上表面上延伸并且与第一层间绝缘膜接触的插入绝缘膜、与插入绝缘膜接触并沿着插入绝缘膜的上表面和第一线结构的上表面延伸的阻挡绝缘膜、在阻挡绝缘膜上的第二层间绝缘膜、以及设置在第二层间绝缘膜中并连接到第一线结构的第二线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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