[发明专利]一种N-I-P钙钛矿/硅叠层太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202310150136.X | 申请日: | 2023-02-22 |
公开(公告)号: | CN116367563A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 叶继春;张美丽;应智琴;杨熹;陈颖;汪新龙;郭旭超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H10K30/86 | 分类号: | H10K30/86;H10K30/50;H10K39/15;H10K71/12;H10K85/60 |
代理公司: | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人: | 胡天人 |
地址: | 315200 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供一种N‑I‑P钙钛矿/硅叠层太阳能电池及其制备方法,N‑I‑P钙钛矿/硅叠层太阳能电池包括硅底电池和N‑I‑P型钙钛矿顶电池,所述N‑I‑P型钙钛矿顶电池的空穴传输层的材料为Cross‑linked小分子材料。本发明以Cross‑linked小分子材料作为空穴传输层,其具有优异的透过性,更适配于N‑I‑P叠层电池结构,Cross‑linked小分子材料置于钙钛矿层上方窗口层可有效的降低HTL寄生吸收带来的光损耗,从而提高器件电流密度,改善器件性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 硅叠层 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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