[发明专利]一种Micro LED芯片及其制备方法和Micro LED显示器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种MicroLED芯片及其制备方法和MicroLED显示器件及其制备方法，其中，MicroLED显示器件的制备方法包括：S1、提供一外延片；外延片包括一次堆叠的生长衬底、N‑GaN层、发光层和P‑GaN层；S2、在P‑GaN层的表面形成第一ITO膜层；S3、在第一ITO膜层表面沉积第一绝缘层；S4、在第一绝缘层上形成若干个周期性排列的凹孔；S5、在凹孔中形成P电极金属柱；S6、将P电极金属柱与CMOS驱动芯片上的正电极金属层连接，以实现MicroLED芯片与CMOS驱动芯片的键合；S7、去除生长衬底；S8、将N‑GaN层减薄；S9、在外延片上形成分割槽，分割槽贯穿N‑GaN层、发光层和P‑GaN层以形成多个LED像素点，每个LED像素点与对应的正电极金属层对齐，并且每个LED像素点分别对应若干个P电极金属柱。