[发明专利]一种兼容半浮栅器件和逻辑器件的制备方法在审
| 申请号： | 202310175057.4 | 申请日： | 2023-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN116322047A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘珩;张萌;冷江华;关天鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/00 | 分类号： | H10B41/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种兼容半浮栅器件和逻辑器件的制备方法，包括：提供的衬底包括半浮栅器件区域和逻辑器件区域，衬底中形成有多个浅沟槽隔离结构，在衬底上形成一保护层；去除位于半浮栅器件区域的保护层；在半浮栅器件区域的衬底中形成多个凹槽；在半浮栅器件区域的衬底和凹槽的内壁上形成栅极介质层；刻蚀栅极介质层以露出部分衬底，形成接触窗口；在半浮栅器件区域形成半浮栅结构，其通过接触窗口与衬底直接接触；去除保护层；在衬底上形成多个牺牲栅极结构，位于半浮栅器件区域的牺牲栅极结构覆盖半浮栅结构的两侧侧壁和部分顶部；刻蚀露出的半浮栅结构的中间部分，直至露出凹槽之间的衬底。形成半浮栅结构的过程不会改变逻辑器件区域的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 兼容 半浮栅 器件 逻辑 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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