[发明专利]半导体微声器件制作方法、装置和半导体微声器件有效
| 申请号： | 202310194093.5 | 申请日： | 2023-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN115865025B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 陈晓阳;张智欣;叶志;史向龙;王宇;苏波;周培根;范佰杰 | 申请（专利权）人： | 北京航天微电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;H03H9/145;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 聂俊伟 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件领域，提供一种半导体微声器件制作方法、装置和半导体微声器件，所述方法包括：根据微声基片欧拉角的自转角变化引发第一模式的激发强度在第一范围内的变化，确定所述微声基片的第一自转角；根据微声基片欧拉角的进动角变化引发第一模式的激发强度在第二范围内的变化，确定所述微声基片的第一进动角；根据第一自转角和第一进动角确定最佳欧拉角，并根据最佳欧拉角制作微声基片，采用半导体工艺制作金属叉指电极，得到半导体微声器件。本申请实施例提供的半导体微声器件制作方法、装置和半导体微声器件可以达到较好的第一模式抑制效果，提高半导体微声器件的低频段性能，从而进一步提高半导体微声器件的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 器件 制作方法 装置 | ||
【主权项】：
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