[发明专利]一种金凸块晶圆返工的工艺在审
| 申请号： | 202310198314.6 | 申请日： | 2023-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN116072559A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李文浩;陆张潇;王冬冬;张伟 | 申请（专利权）人： | 江苏汇成光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 王峰 |
| 地址： | 225128 江苏省扬州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体集成电路领域内的一种金凸块晶圆返工的工艺，包括如下步骤：Pre‑clean、去水烘烤、光阻涂布、曝光、显影及显影后烘烤、电浆处理、金蚀刻、光阻去除、钛钨蚀刻和Scrubber清洗。本发明针对在仓库中常规未久置或久置时间较短的晶圆，这种晶圆的金凸块完整度较好、并且金凸块位置基本无偏移，需要在晶圆上涂布16‑25um厚度的光阻后再对金凸块上的光阻曝光显影，将金凸块蚀刻掉进行补救，随后即可重新加工晶圆，避免晶圆报废，降低芯片及封装产品的不合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金凸块晶圆 返工 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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