[发明专利]GaN HEMT器件、半导体器件、电子设备以及制备方法在审
| 申请号： | 202310211066.4 | 申请日： | 2023-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN116314317A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;谢欣灵;黄海;黄自强;徐赛生;王晨;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/207 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 陈成;周冬文 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaNHEMT器件，包括：GaNHEMT结构；其中，所述GaNHEMT结构的表层包括：第一区域、第二区域以及第三区域；所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域沿水平方向依次排列；p‑GaN材料层，包括：第一p‑GaN层与第二p‑GaN层；所述第一p‑GaN层形成于所述第二区域；所述第二p‑GaN层分布于所述第一区域与所述第三区域；其中，所述p‑GaN材料层中掺杂有镁离子，且仅所述第一p‑GaN层中的镁离子经激光选区退火的方式进行激活。本发明提供的技术方案解，决了刻蚀损伤的问题，避免了刻蚀对漂移区带来的损伤，同时也避免了导致器件退化。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 器件 半导体器件 电子设备 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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