[发明专利]一种磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法在审
| 申请号： | 202310221478.6 | 申请日： | 2023-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN116110794A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 钮伟;胡洪萁;普勇 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/16;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/51 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 张玉红 |
| 地址： | 210023*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法，属于二维材料器件、电介质材料领域，包括以下步骤：第一步：制备金属电极，利用光刻胶在硅衬底上根据所需电极图案进行曝光，显影，定影；蒸镀Ti/Au金属层，获得带有目标图案的金属电极。第二步：转移样品，制备标准的石墨烯样品，将石墨烯转移至带有金属电极的硅衬底上。第三步：制备磁性离子凝胶薄膜，质量比为4:0.9:10的磁性离子液体、聚合物以及丙酮溶剂，加热搅拌至充分溶解，滴铸在基底上，真空烤干。切割并覆盖在转移好的石墨烯上，制备出磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管。本发明所制备出的磁性离子凝胶薄膜厚度均匀可控，能够提供强大且有效的载流子调控能力，简化了制备流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 离子 凝胶 薄膜 石墨 场效应 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
