[发明专利]基于YSZ-NiO多孔层的传感器及其制备方法与应用有效
申请号: | 202310224992.5 | 申请日: | 2023-03-10 |
公开(公告)号: | CN115950939B | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 王岭;马建欣;戴磊;孟维薇;刘洪浩 | 申请(专利权)人: | 华北理工大学 |
主分类号: | G01N27/407 | 分类号: | G01N27/407 |
代理公司: | 唐山永和专利商标事务所 13103 | 代理人: | 邢智博 |
地址: | 063210 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: |
本发明公开了一种基于YSZ‑NiO多孔层的传感器及其制备方法与应用,涉及氮氧化物传感器技术领域。本发明通过构筑双相混合导体界面,提高了NO |
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搜索关键词: | 基于 ysz nio 多孔 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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