[发明专利]半导体器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202310231489.2 | 申请日： | 2023-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN116314342A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张冠张;李蕾;郑斐;王泽文 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体器件结构及其制造方法，在其结构中，在基底中形成有凹槽，并且将器件中比较重要的结构部分例如第一电极层设置在凹槽内，再在凹槽的上方形成其他器件结构部件例如第二电极层，形成嵌入式的结构，嵌入式技术运用了削弱电子器件内部结构中的寄生效应、规整化整体器件的堆叠结构、改善对于光电信号的响应程度等原理，旨在对现有存在的各类电子器件进行结构与性能上的双重优化，通过研究其能够进行改善的出发点改善其透光率、工作电压区间、开关速度、能源利用率等等重要指标，综合传统的工艺简单的优点以及自对准顶栅结构，使得保障器件的尺寸微缩优点，同时能够提升器件的载流子迁移率、开关速度以及开态电流等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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