[发明专利]一种多级CTLE发射极电路及芯片在审
| 申请号： | 202310232674.3 | 申请日： | 2023-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN116317992A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 郝凯;张宝馨;赵君伟;罗旭;陈代英;刘梦 | 申请（专利权）人： | 北京全路通信信号研究设计院集团有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/30 | 分类号： | H03F3/30;H03F1/32;H04B1/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王风茹 |
| 地址： | 100070 北京市丰台区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多级CTLE发射极电路及芯片。该多级CTLE发射极电路包括：级联连接的CTLE电路和均衡输出极电路；均衡输出极电路包括：输出级结构、偏置结构和第一可调结构；输出级结构的输入端与CTLE电路的输出端电连接，输出级结构的输出端作为CTLE发射极电路的输出端；偏置结构连接于输出级结构和第一可调结构之间，偏置结构由偏置电压控制；可调结构用于调整均衡输出极电路的零极点。本发明实施例的技术方案可提供多个零极点，增加补偿位置，提高补偿幅度，解决单级CTLE电路均衡引起的带内不平整问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多级 ctle 发射极 电路 芯片 | ||
【主权项】：
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