[发明专利]电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层及制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310253020.9 | 申请日： | 2023-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN116243565A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 马雷;田昊;于凯丞;李睿;郝路珍 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/16;G03F7/30;H01L21/027 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 琪琛 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于微纳电子器件技术领域，公开了一种电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层及制备方法和应用。碳质绝缘层按照如下过程制备：首先使用有机溶剂对光刻胶进行溶解稀释；然后将稀释过的光刻胶溶液均匀地涂敷在基底表面，通过加热烘干使光刻胶溶液固化，形成覆盖于基底表面的光刻胶固态薄膜；对覆盖有光刻胶固态薄膜的基底进行电子束辐照，诱导光刻胶固态薄膜变性而成为碳质绝缘层；最后用有机溶液清洗未受到辐照的光刻胶固态薄膜。本发明制备的绝缘层性能优异稳定，耐压性良好，尤其是与基于石墨烯材料的半导体制造工艺中高度适配，可以与石墨烯基场效应管等器件的加工流程无缝耦合，具备快速、精确可控、不引入重金属、环保无污染等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 诱导 光刻 生长 绝缘 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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