[发明专利]一种集成布拉格反射器的波导型光电探测器件的制作方法在审
申请号: | 202310255721.6 | 申请日: | 2023-03-16 |
公开(公告)号: | CN116154042A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 王亮;刘英见;蒋凯;罗丹洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/102 |
代理公司: | 合肥金安专利事务所(普通合伙企业) 34114 | 代理人: | 金惠贞 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于侧入射光电器件的分布式布拉格反射器制作方法,属于分布式布拉格反射器技术领域。制备操作步骤如下:(1)在基板上干法刻蚀深槽状的预留空间,(2)采用原子层沉积法在预留空间内沉积生长种子层,种子层材料为氧化硅或氮化硅;(3)采用等离子体增强化学气相沉积法,在种子层上生长薄膜层,薄膜层由至少分别交替三次的氧化硅薄膜或氮化硅薄膜构成;(4)采用电感耦合等离子体刻蚀去除多余的薄膜层,保留与水平设置的波导型探测器结构的有源区结构相对应的预留空间内垂直侧壁上的薄膜层,形成呈垂直状态的分布式布拉格反射器,再制备波导型探测器,制成集成布拉格反射器的波导型光电探测器件。本发明操作简单、低成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成 布拉格 反射 波导 光电 探测 器件 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的