[发明专利]一种高压可控硅芯蚀刻机在审
| 申请号： | 202310259055.3 | 申请日： | 2023-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN116230592A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 黄昌民;张志奇;谷岳生;陈小金 | 申请（专利权）人： | 无锡昌德微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297 | 代理人： | 张燕平 |
| 地址： | 214000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压可控硅芯蚀刻机，属于蚀刻机领域，一种高压可控硅芯蚀刻机，包括蚀刻机本体，所述蚀刻机本体顶面安装有控制器，所述蚀刻机本体内腔靠近上侧处为蚀刻腔，所述蚀刻腔设置有蚀刻机构，所述蚀刻机本体后侧壁固定连接有壳体，所述壳体内腔后侧壁固定安装有电动推杆，所述电动推杆输出端贯穿蚀刻机本体后侧壁并固定连接有限位板，所述限位板后侧壁固定连接有两个支撑杆，所述支撑杆贯穿壳体并与其活动连接，所述限位板前侧壁活动连接有盒体，它可以实现，硅片在蚀刻完毕后，可利用气嘴喷出热风，将硅片上残留的化学溶液进行吹落和烘干，减少化学溶液滴落影响周边空气质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 可控硅 蚀刻 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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