[发明专利]集成芯片结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202310272868.6 | 申请日： | 2023-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN116581101A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 锺嘉文;林彦良;张耀文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成芯片结构。集成芯片结构包括衬底。一个或多个下部互连件设置在位于衬底上方的下部层间介电(ILD)结构内。等离子体诱导损伤(PID)缓解层设置在下部ILD结构上方。PID缓解层具有包含金属的多孔结构。第一上部互连件由位于PID缓解层上方的上部ILD结构横向地围绕。第一上部互连件从PID缓解层上方延伸至一个或多个下部互连件。本发明的实施例还提供了形成集成芯片结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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