[发明专利]一种非接触式方阻测量传感器在审
| 申请号： | 202310276404.2 | 申请日： | 2023-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN116525478A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 魏明军 | 申请（专利权）人： | 无锡研谱智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 王澎 |
| 地址： | 214142 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种非接触式方阻测量传感器，涉及方阻测量传感器领域；包括监测探头和信号处理电路，所述监测探头与所述信号处理电路连接；所述监测探头，用于在待测硅片移动的过程中连续获得振荡信号，并将所述振荡信号实时传输至所述信号处理电路；所述信号处理电路，用于根据振荡信号获得电压信号，并根据所述电压信号获得所述振荡信号对应的目标方阻值；还包括辅助探头，所述辅助探头，用于增强从待测硅片在移动的过程中获取的振荡信号的信号强度；能够在线扫描流水线上的每一张硅片的方阻，从而利于产生整个硅片一系列的数据，便于供工艺人员分析监视工艺参数或由硅片机分选出不同规格方阻的硅片分类。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 式方阻 测量 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡研谱智能科技有限公司，未经无锡研谱智能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310276404.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
