[发明专利]银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202310277191.5 | 申请日： | 2023-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN115985580B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 陈鸿武;郑博达;汪聪;曾西;苏传明;解威;祝潇莉;陈洁 | 申请（专利权）人： | 浙江大华技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;H04N23/40 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 储照良 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：采用磁控溅射法在金属基板表面沉积氧化物层，得到第一复合层，氧化物层选自二氧化硅层或氧化锌层；将第一复合层进行热等静压处理，得到第二复合层；在第二复合层的氧化物层表面设置有机硅离型膜，并去掉金属基板，得到第三复合层；提供透明导电层，透明导电层包括层叠设置的透明衬底和银纳米线层，将第三复合层转印至银纳米线层的表面，并剥离有机硅离型膜，得到预处理导电薄膜；将预处理导电薄膜进行冷等静压处理，得到银纳米线透明导电薄膜。本发明制备方法能够显著提高银纳米线透明导电薄膜可靠性，同时保证银纳米线透明导电薄膜具有高透过率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大华技术股份有限公司，未经浙江大华技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310277191.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
