[发明专利]一种基于本征离子导通机理的阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310277621.3 | 申请日： | 2023-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN116234427A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李渊;秦澜浩;翟天佑 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 孔娜 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件相关技术领域，其公开了一种基于本征离子导通机理的阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括衬底、设置在所述衬底上的功能层及设置在所述功能层上的两端电极，所述功能层为具有本征离子迁移特性的薄膜或者二维单晶纳米片，通过所述功能层的本正离子迁移来改变所述阻变存储器的阻态。本发明将具有本征离子迁移特性的薄膜或者二维单晶纳米片应用于功能层，使得阻变存储器的阻态变化由功能层本征离子迁移导致，可摆脱对活性金属电极的依赖。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 离子 机理 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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