[发明专利]PDE太赫兹发射源及发射方法在审
| 申请号： | 202310279897.5 | 申请日： | 2023-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN116387941A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张琴;程亮 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01S3/00 | 分类号： | H01S3/00;H01S5/00;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PDE太赫兹发射源及发射方法，发射源包括：激光源，用于产生特定偏振的飞秒激光；转换部，用于将飞秒激光转换产生太赫兹辐射；发射支架，用于调节与放置所述转换部；其中，所述转换部包括基底，所述基底的一侧覆盖有至少一层具有中心反演对称性的拓扑半金属纳米薄膜层。本发明将传统意义上无法作为太赫兹发射源的中心对称拓扑半金属材料加以利用，成为新的太赫兹源。 | ||
| 搜索关键词： | pde 赫兹 发射 方法 | ||
【主权项】：
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