[发明专利]碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试系统及其测试方法在审
| 申请号： | 202310287355.2 | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116298768A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张括;王盛凯;徐杨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/265 | 分类号： | G01R31/265;G01R31/26;G01N27/00;G01N21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试方法，其特征在于，包括：利用发光光源模块产生光束；利用监测反馈模块实时监测发光光源模块发射的光束的波长和强度，并反馈至发光光源模块；将发光光源模块发射的光束经分光光纤传输至电学测量模块，照射碳纳米管薄膜晶体管并记录第一阶段对应的电学测试结果，第一阶段对应的电学测试结果包括将发光光源模块发射的光束按不同波段对应的多组电学测试结果；将多个阶段对应的电学测试结果输入至前置数据转换器中，整合成缺陷表征数据库。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 薄膜晶体管 缺陷 测试 系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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