[发明专利]一种锡终端半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202310288934.9 | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116334711A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李奉南;王宏兴;马飞;何适 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D5/54;C25D3/30;C25D5/48 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 钱宇婧 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种锡终端半导体材料及其制备方法，该制备方法首先进行氢化处理，使得半导体材料表面形成氢终端，此时半导体材料和氢原子形成了碳氢键，半导体表面多为氢原子；然后通过高压电解含锡的水溶液对半导体表面进行锡化处理，锡化处理过程中，足够的锡原子替换大量的氢原子，使得在半导体表面能够形成碳锡键，进而在半导体材料锡终端；本发明的制备方法借助于氢原子作为中间介质，使得锡原子能够复合在半导体材料的表面。方法首次实现了半导体锡终端表面的制备，并且是一种高效、清洁且安全的表面锡化方法，获得的锡终端半导体表面锡化程度高，同时具有良好的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 终端 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310288934.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种气量调节阀
- 下一篇：一种可扩展自动生成跨平台多语言接口的系统及方法
